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SK海力士2021年下半年采用EUV生产1a纳米制程DRAM

发布日期:2020-11-02 点击次数:351
根据国外媒体报导,ASML是目前全世界唯一生产极紫外光曝光设备(EUV)的厂商,用于制造先进半导体制程,也就是在7纳米以下制程中扮演这关键性角色,包括台积电及三星都用来生产先进处理器(CPU)及绘图芯片,另外三星也用在存储器DRAM制造。

为了追上三星脚步,韩国另一家存储器大厂SK海力士(SK Hynix)也宣布,预计自2021年下半年开始量产采用EUV技术的DRAM。

报导指出,日前SK海力士高层表示,计划2021年下半年开始,在韩国利川厂区新设的M16产线采用EUV曝光设备生产第四代(即1a纳米制程)DRAM产品。M16产线预计2020年底建造完成,2021上半年开始导入制造设备并装机,目前实验室正在准备,预计2021年下半年开始量产。

对存储器来说,与CPU逻辑制程一样,近年来面临制程微缩的问题。如果使用EUV曝光技术,可减少多重曝光过程,提供更细微的制程精度与良率,进一步减少产品生产时间并降低成本,还可提高效能。只是EUV曝光设备每部单价近1.5亿欧元,初期投资成本较深紫外光曝光设备(DUV)高许多,因此会让厂商考虑再三。

报导进一步指出,相较SK海力士将在2021年量产采用EUV技术打造的DRAM,全球存储器龙头三星已经开始以EUV技术生产DRAM。之前三星发表的LPDDR5 16Gb DRAM就是采用EUV技术生产,频宽为6400MHz,相较LPDDR5 12Gb DRAM速度快16%。

全球3大DRAM供应商中,仅剩美光(Micron)尚未采用EUV技术。台湾美光董事长徐国晋与媒体见面时表示,美光没有采用EUV的计划,因为以现有微影设备配合其他制程,可达到一样的效果。随着技术精进与市场需求,美光会否改变态度,有待后续观察。
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