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NAND军备竞赛:三星、东芝持续扩产、Intel携手美光强势归来

发布日期:2019-10-14 点击次数:17
随着NAND Flash价格的连续走低,为了防止过量的NAND闪存供应导致市场崩溃,三大NAND生产厂商、Intel、美光以及SK海力士已经共同宣布将采取手段遏制供大于求的现状,具体来讲就是全方位的减缓生产速度——少切点晶圆,慢建新产线。下半年开始NAND Flash价格明显止跌,近期三星、SK海力士、美光等原厂又再次掀起了新一轮的军备竞赛,一些新的工厂开始正式纳入规划或者即将投入运营,这将给NAND Flash产业带来什么变化?又是否是中国的机遇?

 

三星

2014年三星在西安建设工厂量产了第一代V-NAND ,2018年开始,三星在西安持续投资兴建二期项目,根据建厂进度,该工厂预计在2019年底建设完工后,设备将搬入并开始量产。

 

如今有消息称,三星西安二期工厂已安装部分设备并开始试运行,以检查量产前的情况,预计将在2020年2月开始批量生产。三星除了西安二期工厂,位于平泽工厂不远处所新建的P2 Project建设也基本完成,已进行了少量的设备投资。

三星新工厂选择在2020年投产,除了有助于缓解当前市场供过于求的市况外,2020年5G手机将掀起一波换机需求,而中国是重要的市场,同时对大容量NAND Flash需求也会增加,在贸易紧张的关系下,三星加大在中国新工厂的投资,将可更好的满足中国市场需求。 

 

SK海力士

SK海力士在清州兴建的M15工厂已经开始投产,M15工厂是为了生产堆叠72层与堆叠96层3D NAND,以提高SK海力士在NANDFlash市场主控权。在M15之后,M16工厂也被提上日程,该工厂于去年年底开建,计划20202年完工,M16工厂将用上最先进的EUV光刻工艺。

 

在技术方面,6 月 26 日,SK 海力士宣布已成功开发世界上第一款“128 层1Tb 的 4D NAND 闪存”,即将投入量产。该技术的突破为 SK 海力士未来在企业级固态硬盘(SSD)、5G 移动通信智能手机市场竞争提供了保障,能够及时为客户提供多种解决方案。

 

美光

美光自去年开始扩建新加坡的Fab 10工厂,旨在进行新的3D NAND工艺节点转换,并且保持和现在一样的晶圆产量,今年8月,美光新加坡Fab 10A新工厂完成。此前美光在新加坡已有两座工厂,分别名为Fab 10N和Fab 10X,主要生产NANDFlash晶圆,这两个工厂的Wafer产出大约占美光整体NANDFlash一半的产能。
在技术方面,根据最新消息,美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片,新一代产品基于美光全新研发的替代栅极架构,将于明年开始小范围量产。美光集团CEO表示,目前已经成功完成替代栅极架构的3D NAND芯片的首次流片,这一里程碑的进展降低了产品技术向下一代技术过渡的风险,并且强调首代替代栅极架构将被应用在128层NAND产品上,先期会被应用到特定的产品线。

 

东芝

今年对于东芝来说是特殊的一年,从10月开始,东芝存储将更名为“Kioxia”,中文名为“铠侠”, 改名后的东芝近日宣布与西数共同投资的日本岩手县K1工厂将于2020年上半年开始生产。



据了解,K1工厂将生产3D闪存,以支持数据中心、智能手机和自动驾驶汽车等应用不断增长的存储需求。东芝和西数两家公司对K1工厂的设备进行联合资本投资,使得该工厂可以在2020年开始进行96层3D闪存的初始生产。此外,东芝还打算在四日市投资兴建Fab 7工厂,该工厂计划2020年动工,2022年投入生产,新工厂建成后,东芝将会有8座工厂投入运营。

 

英特尔

英特尔作为最早做储存器的企业之一,已经连续多年是是全球半导体销售额的首位, 如今时隔34年后它宣布要重返存储器市场。发布新一代存储器业务战略,将炮火瞄准存储器半导体大厂三星电子和SK海力士。

 

上个月,英特尔介绍了其在3D NAND闪存上的最新动态。英特尔透露,2019年第四季度将会推出96层的3DNAND闪存产品,并且还率先在业内展示了用于数据中心级固态盘的144层QLC(四级单元)NAND,预计将于2020年推出。

 

英特尔采用3D Xpoint、是与美光联合发布的新型闪存技术,号称是25年来存储技术的革命性突破,速度是目前NAND闪存的1000倍,耐用性也是目前闪存的1000倍,密度是NAND的10倍。不过英特尔能否如愿以偿,决定于3D Xpoint产品能否取得众多服务器客户的青睐,目前尚为时过早。



国产追赶仍需时日

在NAND Flash市场中,三星、东芝、镁光、SK海力士、西部数据、英特尔这六家企业长期垄断着全球99%以上的份额。国产储存在全球市场中目前还影响力不足,东芝高管上个月曾表示:“中国内存厂商在二三年内赶上不容易,他认为市场供应过剩的局面已经终结,此前的供应过剩已将利润率挤压至10年来的最低水平。”

作为后来者的长江存储,其实早在2018年,就已经量产了32层3D NAND闪存芯片。然而在2018年,各家的64层、72层3D NAND闪存已经是主打产品,早已全面铺货,落后一代的差距使得当时长江存储并没有引起业界关注。9月初,长江存储宣布开始量产基于Xtacking架构的64层256GB TLC 3D NAND闪存 ,而这也是中国首次实现64层3D NADA闪存芯片的量产,中国距离国际水平又近了一步。
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