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美光量产全球首款176层NAND,市场将何去何从?

发布日期:2020-11-11 点击次数:65
美光11月9日宣布,已开始批量生产全球首个176层3D NAND Flash。与上一代128层3D NAND技术相比,将读取延迟和写入延迟改善了35%以上,基于ONFI接口协议规范,最大数据传输速率1600 MT/s,提高了33%,混合工作负载性能提高15%,紧凑设计使裸片尺寸减小约30%,每片Wafer将产生更多的GB当量的NAND Flash。
美光新的176层3D NAND已在新加坡工厂量产,并已通过其Crucial消费类SSD产品线送样给客户,并将在2021年推出基于该技术的新产品,瞄准5G、AI、云和智能边缘领域的增长机会,满足移动、汽车、客户端和数据中心领域不断增长的存储需求。

其他原厂3D NAND进展如何?

三星

2019年8月开始量产第六代(1xx层)TLC V-NAND,并基于该技术推出了面向消费类980 PRO和数据中心的PM9A3系列SSD。为了提高市场竞争力,三星正在加速第七代V-NAND(160层以上)的研发,预计2021下半年在新建的平泽NAND新产线投产,以满足不断增长的数据中心和智能手机存储需求。

铠侠/西部数据

2019年基于96层QLC单颗Die容量已实现了1.33Tb容量,2020年初推出的第五代3D NAND技
术,采用的是112层堆叠BiCS5,初步量产的是512Gb TLC产品,已经面向消费类的产品发售,QLC 单颗Die容量将达1.33Tb。
 
SK海力士


2019年5月送样96层QLC 4D NAND,单颗Die容量1Tb,同年次月又推出了128层4D TLC NAND,2020年下半年送样该新技术的企业级PE8111系列SSD,容量高达16TB,并计划在未来开发32TB容量企业级SSD。
 
另外,SK海力士已在2020年第三季度开始全面销售128层NAND Flash产品,以应对市场稳定的移动需求做出反应,预计第四季度供应将持续放量。
 
英特尔 

 
英特尔已经成功研发出144层堆叠的QLC闪存,容量较96层QLC提升了约50%,计划是在2020年底前投入生产,并会推出基于该新技术的消费类和企业级SSD。
 
虽然SK海力士收购了英特尔NAND业务,包括中国大连3D NAND工厂,但是在2025年之前,英特尔将继续运营大连工厂和制造设计技术,在目前的144层节点之后,有望再拓展两到三代。
 
长江存储

 
2020上半年发布128层QLC 3D NAND(型号:X2-6070),具有1.6Gb/s高速读写性能和1.33Tb单颗Die容量,并在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。同时,长江存储也发布了128层512Gb TLC 3D NAND(型号:X2-9060),以满足不同应用场景的需求。
 
3D NAND技术进入100层以上竞争,市场将何去何从?
 
3D NAND技术是核心竞争力,原厂之间的竞争也从未停歇,2020年原厂3D NAND供货主力仍以96层为主,并不断的提高128层3D NAND产出,同时三星、SK海力士等积极的导入到消费类和企业级SSD中应用。
 
随着3D NAND技术的发展,三星、铠侠、西部数据、美光、SK海力士3D NAND技术已发展到了128层,新晋Flash原厂长江存储也跟进发布了128层TLC/QLC,如今美光抢先推出全球首个176层3D NAND,让原厂之间的技术竞争越发激烈。
 
随着3D NAND堆叠层数的增长,3D NAND技术经历了24层、48层、64层、96层、128层等几个堆叠阶段,NAND Flash单颗Die容量也发展到了1Tb,如今进入100层以上堆叠,NAND Flash供应量将进一步增加。
反观NAND Flash市场现状,近2年价格行情可谓大起大落,不仅经历2019年寒冬,2020年又遭遇“疫情”严重冲击,导致手机市场需求大幅下滑,再加上数据中心领域市场需求在2020下半年降温,产业链存储企业已是负重前行,如今海外“疫情”再次来袭,Q4存储产业再度陷入困境。
 
在原厂3D NAND技术不断升级的推动下,势必会使得NAND Flash产能进一步增加,在存储产业市场需求低迷之际,无疑对短期的市场价格带来较大的压力。不过,从产业发展角度而言,NAND Flash技术的升级也将刺激eMMC、UFS、SSD等主流产品性能的提升,容量的增加,带来更多创新机会。
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