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美光再建新工厂,加剧DRAM市场竞争,对短期供应影响有限

发布日期:2020-09-07 点击次数:41
最新消息称,美光计划在2021年提出建设A5厂项目的申请,持续加码投资DRAM,将用于1Znm制程之后的微缩技术发展。
 
据悉,目前美光在台湾地区布局,包括中科的前段晶圆制造A1、A2厂和后段封装厂,在桃园有A、B两厂,其中1Znm产线主要位于台中厂,而桃园厂则以1ynm量产技术为主。此外,美光正在新建A3工厂洁净室,预估将在2021年投入量产1Znm或1α技术,进一步扩大先进技术的量产规模。

美光2021年A5厂建设计划主要彰显了美光对DRAM未来发展的乐观看法,也提高了美光在台湾地区DRAM生产基地的重要战略地位。不过,目前美光没有透露A5投产计划的细节,对于新厂地址也不予评论。
 
美光投资建厂不断,对短期DRAM市场影响有限,新产能将在2021年放量
 
据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据,2020年第二季度DRAM整体销售额170.6亿美元,环比增长15%,同比增长16%,三星、SK海力士、美光三大原厂占据95%以上的市场份额,一直处于全球垄断地位,而美光市场份额占比21.2%,排名第三,原厂DRAM扩产动作对市场影响深远。
2020年由于受“疫情”影响,导致全球经济不景气,尤其是到下半年,据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价,在近2个月的时间里,服务器DRAM出现了小幅度的价格下滑,消费类内存条价格跌幅也超过10%,部分产品价格跌幅甚至已超过了20%,包括原厂、品牌厂等存储产业链企业出货和获利均面临压力。
 
9月份是传统的“备货时期”,再加上华为备货、物流紧张等影响,行业市场订单略有好转,渠道市场询单也有所增加,市场价格初现回温迹象。然而,A5工厂是继A3新工厂之后,美光又一新厂建设项目,意在持续加码在DRAM领域的投资。面对美光投资扩产消息,业内人士不免会担忧,恐会抑制当前市场需求回暖。
 
不过,根据投资建厂的进度,美光正在新建A3工厂洁净室,预估将在2021年Q1投入量产1Znm或1α技术,而A5工厂规划的是在2021年开始建设,预估投产的时间节点将在2022年,也就是说美光投资导致的DRAM产出明显增加将从2021年开始,所以短期对DRAM市场的影响是有限的。
 
EUV工艺已拉响战局,美光新建A5工厂或为导入EUV工艺准备

2020年三大原厂三星、美光、SK海力士等DRAM技术主要是从1Ynm全面向1Znm推进,这也是DRAM第三代10nm级技术。但是DRAM到第四代10nm级之后,原厂将会大规模的导入EUV工艺。
在EUV工艺方面,三星从1Znm制程就在导入EUV工艺,可谓抢占了先机。今年3月,三星率先宣布已经成功出货100万个业界首款基于极紫外光(EUV)技术的10nm级(D1x)DDR4模块。8月三星再次宣布位于韩国平泽市的第二条生产线(P2工厂)已开始导入极紫外(EUV)技术批量生产16Gb LPDDR5。新16Gb LPDDR5采用的是三星第三代10nm级(1znm)工艺为基础,拥有更高容量和更高性能,能够满足下一代智能手机中5G和AI功能的应用。
 
为了加快下一代技术的发展,SK海力士内部也已经成立了研究小组,专门针对DRAM技术的EUV光刻展开相关研究,并着手研发1anm DRAM技术,内部的代号为“南极星”,工艺节点将在15nm左右,预计将会在该制程中引入EUV光刻技术。
 
此外,SK海力士也在建设利川“ M16”工厂,目前该工厂还在建设中,安装设备后计划于2021年1月投产,初期12英寸晶圆产出1.5万-2万片/月,或用于扩大新一代DDR5产量,以及导入EUV工艺,量产1anm DRAM。
 
至于美光,DRAM 1Ynm和1Znm技术节点产量已超过50%,根据规划,1Znm DRAM技术之后将向1α、1β、1γ发展。在2年前,美光曾表示在1α及1β工艺之前不会用到EUV。但是,随着三星导入EUV工艺,以及DRAM价格在近2年时间里持续下滑,使得美光重新评估EUV工艺的导入时间节点,而将在2021年规划开建的A5或是未雨绸缪,以便带来更优的DRAM成本效益。
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