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迎2021新一年,三星NAND、DRAM、晶圆代工方面有动作

发布日期:2021-01-05 点击次数:22
2020年存储市场发生了很多大事,比如铠侠延迟IPO上市;英特尔彻底与美光结束合作;SK海力士买下英特尔NAND业务;西部数据合并Flash和HDD业务;长江存储发布128层3D NAND;美光和SK海力士突破176层3D NAND技术等等。
无论对于NAND Flash还是DRAM市场而言,都具有重大意义。2020年原厂之间暗潮涌动,作为存储芯片龙头企业的三星,2021年的动向备受关注。
据市场消息称,三星计划2021年将大部分投资用于NAND Flash、晶圆代工等,DRAM则维持2020年的水平,较为保守投资。
内存市场热度不减,三星为何保守投资DRAM?
从12月份开始,内存市场不仅备货需求积极,而且市场DDR颗粒和内存条涨价明显。据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价显示,一个多月以来,渠道内存条DDR4 UDIMM 16GB 2666累积涨幅已超过20%;行业内存条DDR4 SODIMM 16GB 2666累积涨幅也已达15.5%。
在全球DRAM市场上,主要是三星、SK海力士、美光主导,且三星市场占有率一直超过40%,而且三星存储器业务结构中,DRAM营收占60%,而NAND Flash营收占40%。就目前市场而言,内存条市场价格涨价明显,且向上行情有望持续,三星DRAM保守投资,可维持稳健的市场供需关系,同时保持业务收益表现。
在DRAM技术方面,2020年三星率先在1Znm工艺节点导入EUV设备,量产16Gb LPDDR5。同时三星也规划将在2021年大量生产基于第四代10nm级(1α)EUV工艺的16Gb DDR5/LPDDR5,相比美光和SK海力士,三星DRAM技术处于领先优势。
在投资方面,三星2020年在平泽P2工厂已投产DRAM,2021年将根据市况灵活调整产能。同时,三星还计划将华城DRAM生产线转为CIS生产线,以期增加20%的CIS产能,满足市场不断增加的市场需求。综合来看,三星在DRAM投资上将会趋于保守。
176层技术节点上被赶超,铠侠加码投资建厂,三星有“危机感”,会重点投资NAND
相较于DRAM,NAND Flash市场竞争更大,三星全球市场占有率一直保持在30%以上,之前主要是三星、铠侠、西部数据、SK海力士、美光、英特尔几家原厂竞争。但是到2020年,长江存储重磅发布128层3D NAND技术,再加上SK海力士收购英特尔之后,市场竞争进一步加剧。
在NAND Flash技术上,三星一直处于领先地位,也是最早在2013年率先量产24层3D NAND。不过,在2020年底,美光、SK海力士公开宣布在176层3D NAND上率先取得突破进展,虽然三星也声称将在2021年量产第七代V-NAND,但依然感受到了来自竞争对手的压力。
在NAND Flash投资上,仅次于三星市场排名的铠侠与西部数据,共同投资的岩手县北上市新工厂K1已在2020上半年开始少量生产,在四日市存储器生产基地北侧,Fab7工厂土地正在动工中,建设将分两个阶段,第一阶段建设计划于2022年春季完成。另外,铠侠还宣布将扩建日本岩手县生产基地,将在现有的K1工厂旁扩建K2厂区,将于2021年春季开始,2022年春季完成。
因此,三星投资自然也不会手软,而且看好新的2021年5G手机和SSD市场前景。据悉,2020年在中国西安的二期第一阶段已投产,并开始新建二期第二阶段项目,将在2021年下半年竣工,同时平泽P2工厂已投资8兆韩元新建NAND Flash产线,计划2021下半年开始量产。
三星晶圆代工“霸主”目标不变,市场供不应求,加快投资步伐
三星曾披露“半导体愿景2030”长期计划,目标是在未来10年里 “称霸”晶圆代工市场。虽然目前与台积电在全球市场占有率上还有较大的差距,但是无论是在技术还是投资上,三星都在不断的增加。
2020年三星已开始在华城工厂批量生产5nm EUV产品,同时提升位于韩国平泽工厂的晶圆代工产能,扩大5nm EUV量产规模。三星从2005年新建首条12英寸代工生产线,如今已拥有7条代工生产线,将持续满足5G、高性能计算和人工智能等市场需求。
在先进技术上,三星将在2022年大规模生产3nm制程芯片,这与台积电在2022年下半年量产3nm的规划保持一致。不过,台积电也表示,2nm制程上取得重大内部突破,有望于2023下半年进行风险性试产,2024年投入量产。
此外,之前就有消息称,三星获得高通大订单,将制造用于中低端价位手机的5G处理器,再加上当前晶圆代工产能供不应求,有消息称NVIDIA向三星追加订单,已开始在华城晶圆代工厂进行生产,预计晶圆代工产能紧缺的热度将会持续到2021年,三星势必会加快投资步伐。
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