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DRAM行情走低,三大原厂将减少2成以上投资,改善市场供需!

发布日期:2020-08-28 点击次数:69
据IC Insights最新数据,主要的DRAM原厂减少在DRAM设施上的投资,预估2020年三家合计设施总投资将达125亿美元,相较于2019年的169亿美元减少26%。
其中,三星、SK海力士、美光在2020年的DRAM设备投资将分别为49亿美元、40亿美元和36亿美元,而在2019年DRAM设施投资则是62亿美元、65亿美元和42亿美元,分别同比下滑21%、38%和14%。
据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据,因为“疫情”带动“宅经济”增长,服务器和笔记本需求强劲,2020年第二季度DRAM整体销售额170.6亿美元,环比增长15%,同比增长16%,而三星、SK海力士、美光三大原厂占据95%以上的市场份额,一直处于全球垄断地位。

三家原厂减缓DRAM投资,“疫情”带来的不确定性是主因
 
2020年三大主要DRAM原厂减少投资,主要是“疫情”带来的不确定因素影响,尤其是下半年海外“疫情”反复且有持续恶化的趋势,加剧Q3季度服务器市场需求环比下滑,而手机、PC等主流市场销售也依然低于2019年同期表现,使得业内人士对后续市场前景看法保守。
 
从近期DRAM行情观察,因为服务器需求将环比下滑,恐影响服务器DRAM很难维持Q2的高档价位。与此同时,手机和PC整体销售低于2019年同期表现,消费类市场DRAM价格也持续表现跌势,据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据,DDR颗粒价格累积跌幅已超过10%,渠道市场部分内存条价格累积跌幅也超过了20%。
在需求和价格双双低迷的影响下,三星、SK海力士、美光必然会调整供应,甚至是延缓投资计划。
 
DRAM将在1Znm之后大量导入EUV,预估2021年投资将会增加
 
一直以来,原厂都是依靠技术升级来增加DRAM产能,目前三星、SK海力士、美光DRAM技术已进入到1Znm技术阶段,且三星已在DRAM技术中导入EUV工艺,SK海力士和美光计划在1anm或1β技术节点的DRAM中引入EUV,从而提高性能、产量并缩短开发时间。
 
在建厂方面,三星于2018年开始新建的P2工厂规划是在2020年进行设备投资,用于投产第二代(1ynm)和第三代(1znm)10nm级DRAM,也包括建设极紫外光刻(EUV)生产线。
 
SK海力士则正在新建的M16工厂预计将在2021上半年进行设备投资,目前还未确定生产DRAM还是NAND Flash。至于美光,在台中科厂区旁兴建的A3已完成洁净室建设,预计2020年底可完成主体建设, 2021年有望进行设备投资后,导入最新制程试产DRAM。
 
根据目前三大DRAM原厂的投资建设进展,以及在1Znm技术之后将大量投入EUV工艺,预计三星、SK海力士、美光在2021年的投资会有所增加。
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