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WINBOND华邦

W971GG6JB-18_华邦DDR2 SDRAM _原装现货支持实单

型号:W971GG6JB-18

品牌:WINBOND华邦

类型:原装现货     批号:NEW+Rohs

数量:52100        封装:BGA

价格:查询           样品:可出      规格书:联系客户服务

描述: DDR2 SDRAM 
  • W971GG6JB-18
    制造商: Winbond 
    产品种类: DDR2 SDRAM
    RoHS:  详细信息  
    安装风格: SMD/SMT 
    封装 / 箱体: BGA
    系列: W971GG 
    存储容量: 64 Mbit 
    最大时钟频率: 133 MHz 
    组织: 8 M x 8 
    定时类型: Asynchronous 
    数据总线宽度: 8 bit 
    电源电压-最小: 2.7 V 
    电源电压-最大: 3.6 V 
    电源电流—最大值: 25 mA 
    最小工作温度: - 40 C 
    最大工作温度: + 85 C 
    封装: Tube 
    商标: Winbond  
    湿度敏感性: Yes  
    产品类型:  DDR2 SDRAM
    工厂包装数量: 63  
    子类别: Memory & Data Storage 

    华邦致力於记忆体产品的生产与设计,其中包含「DRAM产品事业群」、「记忆IC制造事业群」及「快闪记忆体IC事业群」三大领域。DRAM主要产品包括Specialty DRAM、以及Pseudo SRAM 和Low Power SDRAM之Mobile RAM系列产品可广泛应用在消费性(Consumer)、通讯(Communication)、电脑周边(Computer Peripheral)以及车用电子(Automobile)等四大领域,另有高阶DRAM-GDDR产品,则锁定个人电脑、游戏机和多媒体等应用市场。快闪记忆体产品,聚焦中低密度Parallel和Serial二种NOR Flash,产品广泛应用於个人电脑及周边、光碟机、无线网路、DSL数据机、DVD播放机、机上盒和电视机等。

    DDR2 SDRAM简称DDR2是第二代双倍数据率同步动态随机存取存储器(Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory),是一种电脑存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品,提供了相较于DDR SDRAM更高的运行效能与更低的电压,是DDR SDRAM(双倍数据率同步动态随机存取存储器)的后继者,也是现时流行的存储器产品。由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发。
    DDR2的结构及特点编辑
    DDR2内存拥有240个引脚(不包括定位槽),笔记本内存为200个引脚
    DDR2内存的定位槽位于第64和65引脚之间(反面位于第184和185引脚之间)
    DDR2内存均采用FBGA(细间距球栅阵列)封装形式,特点是内存颗粒芯片引脚在颗粒下面
    DDR2内存需要1.8V工作电压和0.9V的上拉电压(数据线用)
    DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行
    DDR2内存主要采用开关电源方式的供电电路,也有少数采用调压方式供电
    DDR2的定义编辑
    DDR2SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
    此外,由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式,而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式,FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程,从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术,第一代DDR的发展也走到了技术的极限,已经很难通过常规办法提高内存的工作速度;随着Intel最新处理器技术的发展,前端总线对内存带宽的要求是越来越高,拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
    DDR2采用的新技术
    除了以上所说的区别外,DDR2还引入了三项新的技术,它们是OCD、ODT和Post CAS。
    OCD(Off-Chip Driver):也就是所谓的离线驱动调整,DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性;通过控制电压来提高信号品质。
    ODT:ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上,不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的,终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率,终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低;终结电阻高,则数据线的信噪比高,但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组,还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻,这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本,还得到了最佳的信号品质,这是DDR不能比拟的。
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