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WINBOND华邦

W25X40CLNIG_华邦NAND闪存 _原装现货支持实单

型号:W25X40CLNIG

品牌:WINBOND华邦

类型:原装现货     批号:NEW+Rohs

数量:52300        封装:WSON8 

价格:查询           样品:可出      规格书:联系客户服务

描述: NAND闪存  
  • W25X40CLNIG
    制造商: Winbond 
    产品种类: NAND闪存 
    RoHS:  详细信息  
    安装风格: SMD/SMT 
    封装 / 箱体: WSON-8 
    系列: W25X40C 
    存储容量: 64 Mbit 
    最大时钟频率: 133 MHz 
    接口类型: SPI 
    组织: 8 M x 8 
    定时类型: Asynchronous 
    数据总线宽度: 8 bit 
    电源电压-最小: 2.7 V 
    电源电压-最大: 3.6 V 
    电源电流—最大值: 25 mA 
    最小工作温度: - 40 C 
    最大工作温度: + 85 C 
    封装: Tube 
    商标: Winbond  
    湿度敏感性: Yes  
    产品类型: NOR Flash  
    工厂包装数量: 63  
    子类别: Memory & Data Storage  

    华邦致力於记忆体产品的生产与设计,其中包含「DRAM产品事业群」、「记忆IC制造事业群」及「快闪记忆体IC事业群」三大领域。DRAM主要产品包括Specialty DRAM、以及Pseudo SRAM 和Low Power SDRAM之Mobile RAM系列产品可广泛应用在消费性(Consumer)、通讯(Communication)、电脑周边(Computer Peripheral)以及车用电子(Automobile)等四大领域,另有高阶DRAM-GDDR产品,则锁定个人电脑、游戏机和多媒体等应用市场。快闪记忆体产品,聚焦中低密度Parallel和Serial二种NOR Flash,产品广泛应用於个人电脑及周边、光碟机、无线网路、DSL数据机、DVD播放机、机上盒和电视机等。

    Nand-flash存储器是flash存储器的一种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身于大量数听记忆卡、体积小巧的U盘等。
    NAND特点编辑
    容量和成本
    NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,由于生产过程更为简单,NAND结构可 以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就 相应地降低了价格。
    NOR flash占据了容量为1~16MB闪存市场的大部分,而NAND flash只是用在8~128M B的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存 储介质中,NAND适合于数据存储,NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和M MC存储卡市场上所占份额最大。
    物理构成
    NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell,一般来说,一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位,连成bit line,形成所谓的byte(x8)/word(x16),这就是NAND Device的位宽。这些Line会再组成Page,(NAND Flash 有多种结构,我使用的NAND Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M),每页528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Spare Area)),每32个page形成一个Block(32*528B)。具体一片flash上有多少个Block视需要所定。我所使用的三星k9f1208U0M具有4096个block,故总容量为4096*(32*528B)=66MB,但是其中的2MB是用来保存ECC校验码等额外数据的,故实际中可使用的为64MB。
    可靠耐用性
    采用flash介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说 ,Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。
    寿命(耐用性)
    在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。
    NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势,典型 的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍,每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一 些。
    位交换
    所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见,NAND发生的次数要比NOR多),一个比特位会发生反转或被报告反转了。
    一位的变化可能不很明显,但是如果发生在一个关键文件上,这个小小的故障可能 导致系统停机。如果只是报告有问题,多读几次 就可能解决了。
    当然,如果这个位真的改变了,就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位 反转的问题更多见于NAND闪存,NAND的供应商建 议使用NAND闪存的时候,同时使用EDC/ECC算法。
    这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然,如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时, 必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。
    坏块处理
    NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力,但发现成品率太低,代价太高,根本不划算。
    NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。在已制 成的器件中,如果通过可靠的方法不能进行这项 处理,将导致高故障率。
    易于使用
    可以非常直接地使用基于NOR的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直 接运行代码。
    由于需要I/O接口,NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。
    在使用NAND器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向NAND器件写 入信息需要相当的技巧,因为设计师绝不能向坏 块写入,这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。
    软件支持
    当讨论软件支持的时候,应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和 闪存管理算法的软件,包括性能优化。
    在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持,在NAND器件上进行同样操作时,通常 需要驱动程序,也就是内存技术驱动程序(MTD ),NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。
    使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些,许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软 件,这其中包括M-System的TrueFFS驱动,该驱 动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。
    驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理,包括纠错、坏块处理和 损耗平衡。(纠正一点:NOR擦除时,是全部写1,不是写0,而且,NOR FLASH SECTOR擦除时间视品牌、 大小不同而不同,比如,4M FLASH,有的SECTOR擦除时间为60ms,而有的需要最大6S。)NOR FLASH的主要供应商是INTEL ,MICRO等厂商,曾经是FLASH的主流产品,但现在被 NAND FLASH挤的比较难受。它的优点是可以直接从FLASH中运行程序,但是工艺复杂,价格比 较贵。
    NAND FLASH的主要供应商是SAMSUNG和东芝,在U盘、各种存储卡、MP3播放器里面的都是这种 FLASH,由于工艺上的不同,它比NOR FLASH拥有更大存储容量,而且便宜。但也有缺点,就是
    无法寻址直接运行程序,只能存储数据。另外NAND FLASH 非常容易出现坏区,所以需要有校验的算法。
    在掌上电脑里要使用NAND FLASH 存储数据和程序,但是必须有NOR FLASH来启动。除了
    SAMSUNG处理器,其他用在掌上电脑的主流处理器还不支持直接由NAND FLASH 启动程序。因此,
    必须先用一片小的NOR FLASH 启动机器,在把OS等软件从NAND FLASH 载入SDRAM中运行才行,挺麻烦的。
    NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行,如果目标区域已经有数据,必须先擦除后写入,因此擦除操作是闪存的基本操作。
    而SRAM (Static RAM,静态随机存储器) - 此类静态RAM的运行速度非常快,也非常昂贵,其体积相对来说也比较大。今天我们常说的CPU内的一级、二级缓存就是使用了此SRAM。英特尔的 Pentium III Coppermine CPU中结合有256KB的全速二级缓存,这实际上就是一种SRAM。非常不幸得就是 此种SRAM与其"伙伴"DRAM相比非常地昂贵,因此在CPU内只能使用少量的SRAM,以降低处理器的生产成本;不过由于SRAM的特点---高速 度,因此对提高系统性能非常有帮助。处理器内的一级缓存,其运行频率与CPU的时钟同步;而二级缓存可以整合在CPU中,也可以位于如一些Slot-1 CPU的边上。


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