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SK-HYNIX海力士
H9TQ26ABJTMCUR-KUM
型号: H9TQ26ABJTMCUR-KUM
品牌:SK-HYNIX海力士
类型:原装现货 数量:50640
封装:BGA 批号:19+ROHS
价格:询查 样品:支持 规格书:联系客服
描述:DRAM Chip 25nm 8Gb LPDDR3
H9TQ26ABJTMCUR-KUM
RoHS:是
RoHS:version2011 / 65 / EU
描述:25nm 8gb LPDDR3 DRAM芯片
分类:记忆»内存芯片»DRAM Chip
ECCN:ear99
供应商code9:162f
SK-Hynix 海力士芯片生产商,源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士即原现代内存,2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商,也在整个半导体公司中占第九位。
Low Power Double Data Rate SDRAM ,是DDR SDRAM的一种,又称为 mDDR(Mobile DDR SDRAM),是美国JEDEC固态技术协会(JEDEC Solid State Technology Association)面向低功耗内存而制定的通信标准,以低功耗和小体积著称,专门用于移动式电子产品。
LPDDR3编辑
第三代低功耗内存技术LPDDR3的标准规范于2012年5月由JEDEC固态技术协会正式发布。
LPDDR3也一样支持PoP堆叠封装和独立封装,以满足不同类型移动设备的需要。LPDDR2的能效特性和信号界面都也得以延续。
除此之外,LPDDR3重点加入了新技术:
- Write-Leveling and CA Training(写入均衡与指令地址调驯):可让内存控制器补偿信号偏差,确保内存运行于业内最快输入总线速度的同时,维持数据输入设定、指令与地址输入时序均满足需求。
- On Die Termination(片内终结器/ODT):可选技术,为LPDDR3数据平面增加一个轻量级终结器,改进高速信号传输,并尽可能降低对功耗、系统操作和针脚计数的影响。
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