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SK-HYNIX海力士

H5PS1G63KFR-S6C_HYNIX原装专营_DDR2 SDRAM_现货竞价

型号:  H5PS1G63KFR-S6C

品牌:SK-HYNIX海力士

类型:原装现货      数量:25076 

封装:BGA      批号:17+ ROHS

价格:询查              样品:支持    规格书:联系客服

描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84-Pin FBGA

  • H5PS1G63KFR-S6C
    RoHS:是的
    RoHS版本:2011/6 / 5
    描述:DRAM芯片的DDR2 SDRAM 1gbit 64mx16 1.8V 84脚FBGA
    分类:记忆»RAM芯片»DRAM芯片
    ECCN:ear99
    供应商code9:162f笼
    基本封装类型:球栅阵列
    封装名称:BGA
    供应商:FBGA封装
    细间距球栅阵列
    引线形状:Ball
    引脚数:84
    电路板:84
    包装长度(mm):12.5
    包装宽度(mm):7.5
    包装高度(mm):0.91
    坐姿平面高度(mm):1.1
    销距(mm):0.8
    包装材料:塑料
    安装:表面安装

    SK-Hynix 海力士芯片生产商,源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士即原现代内存,2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商,也在整个半导体公司中占第九位。

    DDR2 SDRAM简称DDR2是第二代双倍数据率同步动态随机存取存储器(Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory),是一种电脑存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品,提供了相较于DDR SDRAM更高的运行效能与更低的电压,是DDR SDRAM(双倍数据率同步动态随机存取存储器)的后继者,也是现时流行的存储器产品。由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发。

    DDR2的结构及特点编辑

    DDR2内存拥有240个引脚(不包括定位槽),笔记本内存为200个引脚

    DDR2内存的定位槽位于第6465引脚之间(反面位于第184185引脚之间)

    DDR2内存均采用FBGA(细间距球栅阵列)封装形式,特点是内存颗粒芯片引脚在颗粒下面

    DDR2内存需要1.8V工作电压和0.9V的上拉电压(数据线用)

    DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行

    DDR2内存主要采用开关电源方式的供电电路,也有少数采用调压方式供电

    DDR2的定义编辑

    DDR2Double Data Rate 2SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

    此外,由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式,而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式,FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程,从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266DDR333到今天的双通道DDR400技术,第一代DDR的发展也走到了技术的极限,已经很难通过常规办法提高内存的工作速度;随着Intel最新处理器技术的发展,前端总线对内存带宽的要求是越来越高,拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

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