DDR2 SDRAM简称DDR2是第二代双倍数据率同步动态随机存取存储器（Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory），是一种电脑存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品，提供了相较于DDR SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR SDRAM（双倍数据率同步动态随机存取存储器）的后继者，也是现时流行的存储器产品。由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发。

DDR2的结构及特点编辑

DDR2内存拥有240个引脚（不包括定位槽），笔记本内存为200个引脚

DDR2内存的定位槽位于第64和65引脚之间（反面位于第184和185引脚之间）

DDR2内存均采用FBGA(细间距球栅阵列)封装形式，特点是内存颗粒芯片引脚在颗粒下面

DDR2内存需要1.8V工作电压和0.9V的上拉电压（数据线用）

DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行

DDR2内存主要采用开关电源方式的供电电路，也有少数采用调压方式供电

DDR2的定义编辑

DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

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