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SK-HYNIX海力士

H27U1G8F2BTR-BC _HYNIX原装专营_NAND Flash_现货竞价

型号:  H27U1G8F2BTR-BC 

品牌:SK-HYNIX海力士

类型:原装现货    数量:25600

封装:TSOP48     批号:17+ ROHS

价格:询查          样品:支持   规格书:联系客服

描述:NAND Flash Serial 3.3V 1G-bit 128M x 8

  • H27U1G8F2BTR-BC
    RoHS:是的
    欧盟RoHS版本:2011/6 / 5
    描述:NAND Flash串行3.3v 1G位128m x 8 48引脚TSOP
    分类:记忆»»Flash存储芯片
    ECCN:3a991。1.一
    供应商代码:9162f笼
    基本封装类型:引线框架SMT
    包装名称:SOP
    供应商:TSOP封装
    薄型小外形封装(I型)
    引线形状:鸥翼
    引脚数:48
    电路板:48
    包装长度(mm):12
    包装宽度(mm):18.4
    包装高度(mm):1.03(最大)
    坐姿平面高度(mm):1.2(最大)
    销距(mm):0.5
    包装材料:塑料
    安装:表面安装
    MSL:2
    Maximum Reflow Temperature(摄氏度):255比260
    Reflow Solder Time(SEC):10
    铅完成(电镀):锡铋

    SK-Hynix 海力士芯片生产商,源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士即原现代内存,2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商,也在整个半导体公司中占第九位。

    Nand-flash存储器是flash存储器的一种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身于大量数听记忆卡、体积小巧的U盘等。
    NAND特点编辑
    容量和成本
    NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,由于生产过程更为简单,NAND结构可 以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就 相应地降低了价格。
    NOR flash占据了容量为1~16MB闪存市场的大部分,而NAND flash只是用在8~128M B的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存 储介质中,NAND适合于数据存储,NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和M MC存储卡市场上所占份额最大。
    物理构成
    NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell,一般来说,一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位,连成bit line,形成所谓的byte(x8)/word(x16),这就是NAND Device的位宽。这些Line会再组成Page,(NAND Flash 有多种结构,我使用的NAND Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M),每页528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Spare Area)),每32个page形成一个Block(32*528B)。具体一片flash上有多少个Block视需要所定。我所使用的三星k9f1208U0M具有4096个block,故总容量为4096*(32*528B)=66MB,但是其中的2MB是用来保存ECC校验码等额外数据的,故实际中可使用的为64MB。
    可靠耐用性
    采用flash介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说 ,Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。


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