欢迎光临深圳益善半导体有限公司官网
服务热线 0755-8325 1635
当前位置:首页 >> 产品中心 >> SAMSUNG三星

产品中心

产品中心

联系我们

联系人:李先生/金小姐

电话:86+0755-83251635

传真:86+0755-82727420

QQ:2058566930

邮箱:yishanic@126.com

邮编:518000

SKYPE:Mr.Li 

地址:深圳市福田区华强北街道中航路新亚洲国利大厦A座1220室

SAMSUNG三星

K9F1G08U0E-SCB0_SAMSUNG原装专营_NAND FLASH_现货竞价

型号:K9F1G08U0E-SCB0

品牌:SAMSUNG三星

类型:原装现货         数量:16520

封装:TSOP48             批号:16+ROHS

价格:询查            样品:支持       规格书:联系客服

描述:SLC NAND Flash 3.3V 1G-bit 128M x 8 48-Pin TSOP-I

 

  • K9F1G08U0E-SCB0
    RoHS:是的
    RoHS版本:2002/95 /欧共体
    描述:SLC NAND闪存3.3v 1G位128m x 8 48引脚TSOP
    分类:内存“闪存芯片”
    ECCN:3a991。1.一
    供应商代码:1542f笼
    包装名称:SOP
    供应商:TSOP封装
    薄型小外形封装(I型)
    引脚数:48
    电路板:48
    包装长度(mm):12.4(最大)
    包装宽度(mm):18.4
    包装高度(mm):1
    坐姿平面高度(mm):1.2(最大)
    销距(mm):0.5
    包装材料:塑料
    安装:表面安装
    MSL:2
    Maximum Reflow Temperature(摄氏度):260
    回流焊周期数:3


    三星集团是韩国最大的跨国企业集团,同时也是上市企业全球500强,三星集团包括众多的国际下属企业,旗下子公司有:三星电子、三星物产、三星航空、三星人寿保险等,业务涉及电子、金融、机械、化学等众多领域。主导存储系列FLASH/DRAM/SDRAM/DDR/EMMC及ARM等。

    Nand-flash存储器是flash存储器的一种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身于大量数听记忆卡、体积小巧的U盘等。

    NAND特点编辑

    容量和成本

    NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,由于生产过程更为简单,NAND结构可 以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就 相应地降低了价格。

    NOR flash占据了容量为1~16MB闪存市场的大部分,而NAND flash只是用在8~128M B的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存 储介质中,NAND适合于数据存储,NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和M MC存储卡市场上所占份额最大。

    物理构成

    NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell,一般来说,一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位,连成bit line,形成所谓的byte(x8)/word(x16),这就是NAND Device的位宽。这些Line会再组成Page,(NAND Flash 有多种结构,我使用的NAND Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M),每页528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Spare Area)),每32个page形成一个Block(32*528B)。具体一片flash上有多少个Block视需要所定。我所使用的三星k9f1208U0M具有4096个block,故总容量为4096*(32*528B)=66MB,但是其中的2MB是用来保存ECC校验码等额外数据的,故实际中可使用的为64MB。

    可靠耐用性

    采用flash介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说 ,Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。

    寿命(耐用性)

    在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。

    NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势,典型 的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍,每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一 些。

    1:由于型号种类繁多,价格和库存数量时有更新,请顾客一定要与我们沟通咨询后才可下单。

    2:买家咨询的时候请务必说清楚(完整型号、封装、数量),以便我们及时报价。

    3:买家无提前咨询而下单的,如果由于缺货或者涨价而导致无法发货的,我司不承担任何责任,一律作退款处理。

    4:生产型企业可申请月结。

    5:千元以上免运费(特殊商品除外)。

    6:报价不含任何销售税,计算含税价请*1.16。

  • 请提交您的基本信息,我们将会尽快回复您!

    *

    *

    *

    *

相关产品

版权所有© 2017 深圳益善半导体有限公司 粤ICP备19116571号