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SAMSUNG三星

K4T1G164QG-BCE7_SAMSUNG原装专营_DDR2 SDRAM_现货竞价

型号:K4T1G164QG-BCE7

品牌:SAMSUNG三星

类型:原装现货         数量:17520

封装:BGA             批号:17+ROHS

价格:询查            样品:支持       规格书:联系客服

描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V

 

  • K4T1G164QG-BCE7
    RoHS:是的
    RoHS版本:2002/95 /欧共体
    描述:DRAM芯片的DDR2 SDRAM 1gbit 64mx16 1.8v
    分类:记忆»内存芯片»DRAM Chip
    ECCN:ear99
    供应商代码:1542f


    三星集团是韩国最大的跨国企业集团,同时也是上市企业全球500强,三星集团包括众多的国际下属企业,旗下子公司有:三星电子、三星物产、三星航空、三星人寿保险等,业务涉及电子、金融、机械、化学等众多领域。主导存储系列FLASH/DRAM/SDRAM/DDR/EMMC及ARM等。

    DDR2 SDRAM简称DDR2是第二代双倍数据率同步动态随机存取存储器(Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory),是一种电脑存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品,提供了相较于DDR SDRAM更高的运行效能与更低的电压,是DDR SDRAM(双倍数据率同步动态随机存取存储器)的后继者,也是现时流行的存储器产品。由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发。

    DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

    此外,由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式,而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式,FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程,从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术,第一代DDR的发展也走到了技术的极限,已经很难通过常规办法提高内存的工作速度;随着Intel最新处理器技术的发展,前端总线对内存带宽的要求是越来越高,拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

    DDR2采用的新技术

    除了以上所说的区别外,DDR2还引入了三项新的技术,它们是OCD、ODT和Post CAS。

    OCD(Off-Chip Driver):也就是所谓的离线驱动调整,DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性;通过控制电压来提高信号品质。

    ODT:ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上,不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的,终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率,终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低;终结电阻高,则数据线的信噪比高,但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组,还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻,这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本,还得到了最佳的信号品质,这是DDR不能比拟的。

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