欢迎光临深圳益善半导体有限公司官网
服务热线 0755-8325 1635
当前位置:首页 >> 产品中心 >> NANYA南亚科

产品中心

产品中心

联系我们

联系人:李先生/金小姐

电话:86+0755-83251635

传真:86+0755-82727420

QQ:2058566930

邮箱:yishanic@126.com

邮编:518000

SKYPE:Mr.Li 

地址:深圳市福田区华强北街道中航路新亚洲国利大厦A座1220室

NANYA南亚科

NT5TU32M16EG-BE_NANYA原装专营_DDR2 SDRAM_现货竞价

型号:NT5TU32M16EG-BE
  
品牌:NANYA南亚

类型:原装现货        数量:23590

封装:BGA             批号:18+ROHS

价格:询查            样品:支持       规格书:联系客服

描述:DRAM芯片DDR2 SDRAM 512MIT 32 MX16 1.8V 84引脚VFBGA
  • NT5TU32M16EG-BE
    分类:内存>内存芯片> DRAM芯片
    2010年11月04日00时00分
    ECRCN:EAR99
    供应商笼码:SBJ77
    密度:512MBIT
    DDR2 SDRAM
    单位:32 MX16
    数据总线宽度:16位
    最大时钟速率:1066兆赫
    最大访问时间:0.35NS
    地址总线宽度:15位
    最大工作电流:250mA
    典型工作电源电压:1.8V
    最大工作电源电压:1.9V
    最小工作电源电压:1.7V
    最低工作温度:0°C
    最高工作温度:85°C
    基本封装类型:球栅阵列
    封装名称:BGA
    供应商包装:BGA
    包装说明:塑料球栅阵列
    铅形状:Ball
    引脚数:84
    PCB:84
    包装长度(mm):12.5
    包装宽度(mm):8
    包装高度(mm):0.8(最大)
    坐位平面高度(mm):1.2(最大)
    销距(mm):0.8

    南亚科技是台湾大电子生产商之一,建立于1995年,主要为一些国际大品牌制作内存等一系列电脑硬件产品
    像ASUS,ACER,等台系早期笔记本电脑所用的内存多数都是南亚生产的,乃典型的OEM厂家.
    该厂制造的笔记本内存性能,质量还不错,价格在同类产品中是最低的.
    DDR2 SDRAM简称DDR2是第二代双倍数据率同步动态随机存取存储器(Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory),是一种电脑存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品,提供了相较于DDR SDRAM更高的运行效能与更低的电压,是DDR SDRAM(双倍数据率同步动态随机存取存储器)的后继者,也是现时流行的存储器产品。由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发。
    DDR2的结构及特点编辑
    DDR2内存拥有240个引脚(不包括定位槽),笔记本内存为200个引脚
    DDR2内存的定位槽位于第64和65引脚之间(反面位于第184和185引脚之间)
    DDR2内存均采用FBGA(细间距球栅阵列)封装形式,特点是内存颗粒芯片引脚在颗粒下面
    DDR2内存需要1.8V工作电压和0.9V的上拉电压(数据线用)
    DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行
    DDR2内存主要采用开关电源方式的供电电路,也有少数采用调压方式供电
    DDR2的定义编辑
    DDR2SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
    此外,由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式,而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式,FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程,从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术,第一代DDR的发展也走到了技术的极限,已经很难通过常规办法提高内存的工作速度;随着Intel最新处理器技术的发展,前端总线对内存带宽的要求是越来越高,拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
    DDR2采用的新技术
    除了以上所说的区别外,DDR2还引入了三项新的技术,它们是OCD、ODT和Post CAS。
    OCD(Off-Chip Driver):也就是所谓的离线驱动调整,DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性;通过控制电压来提高信号品质。
    ODT:ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上,不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的,终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率,终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低;终结电阻高,则数据线的信噪比高,但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组,还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻,这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本,还得到了最佳的信号品质,这是DDR不能比拟的。

    1:由于型号种类繁多,价格和库存数量时有更新,请顾客一定要与我们沟通咨询后才可下单。
    2:买家咨询的时候请务必说清楚(完整型号、封装、数量),以便我们及时报价。
    3:买家无提前咨询而下单的,如果由于缺货或者涨价而导致无法发货的,我司不承担任何责任,一律作退款处理。
    4:生产型企业可申请月结。
    5:千元以上免运费(特殊商品除外)。
    6:报价不含任何销售税,计算含税价请*1.16。
  • 请提交您的基本信息,我们将会尽快回复您!

    *

    *

    *

    *

相关产品

版权所有© 2017 深圳益善半导体有限公司 粤ICP备19116571号