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NANYA南亚科

NT5CB64M16DP-CF_NANYA原装专营_DDR3 SDRAM_现货竞价

型号:NT5CB64M16DP-CF
  
品牌:NANYA南亚

类型:原装现货         数量:28840

封装: BGA                  批号:最新批次+ROHS

价格:询查             样品:支持       规格书:联系客服

描述:DRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.5V 96-Pin WBGA
  • NT5CB64M16DP-CF

    南亚科技股份有限公司成立于1995年3月4日,致力于DRAM(动态随机存取内存)之研发、设计、制造与销售,并在美国、欧洲、日本、大陆设立营销点,其最大股东为台塑集团之南亚塑料股份有限公司。

    DDR3 SDRAM是DDR3的全称,它针对Intel新型芯片的一代内存技术(但目前主要用于显卡内存),频率在800M以上。DDR3是在DDR2基础上采用的新型设计,与DDR2 SDRAM相比具有功耗和发热量较小、工作频率更高、降低显卡整体成本、通用性好的优势。
    优势编辑
    功耗和发热量较小
    吸取了DDR2的教训,在控制成本的基础上减小了能耗和发热量,使得DDR3更易于被用户和厂家接受。
    工作频率更高
    由于能耗降低,DDR3可实现更高的工作频率,在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点,同时还可作为显卡的卖点之一,这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。
    降低显卡整体成本
    由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固定为8,而对于DDR2和早期的DDR架构系统,BL=4也是常用的,DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop(突发突变)模式,即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输,届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是,任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更灵活的突发传输控制(如4bit顺序突发)。
    DDR3新增ZQ校准功能
    ZQ也是一个新增的脚,在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集,通过片上校准引擎(On-Die Calibration Engine,ODCE)来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后,将用相应的时钟周期(在加电与初始化之后用512个时钟周期,在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期)对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。
    参考电压分成两个
    在DDR3系统中,对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号,即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ,这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。
    点对点连接(Point-to-Point,P2P)
    这是为了提高系统性能而进行的重要改动,也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中,一个内存控制器只与一个内存通道打交道,而且这个内存通道只能有一个插槽,因此,内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点(P2P)的关系(单物理Bank的模组),或者是点对双点(Point-to-two-Point,P22P)的关系(双物理Bank的模组),从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面,与DDR2的类别相类似,也有标准DIMM(台式PC)、SO-DIMM/Micro-DIMM(笔记本电脑)、FB-DIMM2(服务器)之分,其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2(高级内存缓冲器)。
    面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势,此外,由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能,在功耗方面DDR3也要出色得多,因此,它可能首先受到移动设备的欢迎,就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域,DDR3未来也是一片光明。目前Intel所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake),其将支持DDR3规格,而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。

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