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IS61LV51216-10TLI_ISSI原装专营_SRAM _竞价热卖

型号:IS61LV51216-10TLI

品牌:ISSI

类型:原装现货         数量:21100

封装:TSOP-44            批号:NEW+ROHS

价格:询查            样品:支持       规格书:联系客服

描述:SRAM
  • IS61LV51216-10TLI

    制造商: ISSI 
    产品种类: 静态随机存取存储器 
    RoHS:  详细信息  
    存储容量: 8 Mbit 
    组织: 512 k x 16 
    访问时间: 10 ns 
    接口类型: Parallel 
    电源电压-最大: 3.6 V 
    电源电压-最小: 3.135 V 
    电源电流—最大值: 110 mA 
    最小工作温度: - 40 C 
    最大工作温度: + 85 C 
    安装风格: SMD/SMT 
    封装 / 箱体: TSOP-44 
    封装: Tray 
    数据速率: SDR  
    系列: IS61LV51216  
    类型: Asynchronous  
    商标: ISSI  
    端口数量: 1  
    湿度敏感性: Yes  
    产品类型: SRAM  
    工厂包装数量: 135  
    子类别: Memory & Data Storage

    ISSI 是Integrated Silicon Solution, Inc.缩写。1988年成立,专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品,用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等

    SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存储器,同步是指内存工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准;动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失;随机是指数据不是线性依次存储,而是自由指定地址进行数据读写。
    SDRAM之所以成为DRAM就是因为它要不断进行刷新(Refresh)才能保留住数据,因为刷新(Refresh)是DRAM最重要的操作。那么要隔多长时间重复一次刷新,目前公认的标准是,存储体中电容的数据有效保存期上限是64ms(毫秒,1/1000秒),也就是说每一行刷新的循环周期是64ms。这样刷新速度就是:64ms/行数量。我们在看内存规格时,经常会看到4096 Refresh Cycles/64ms或8192 Refresh Cycles/64ms的标识,这里的4096与8192就代表这个芯片中每个Bank的行数。刷新命令一次对一行有效,发送间隔也是随总行数而变化,4096行时为15.625μs(微秒,1/1000毫秒),8192行时就为7.8125μs。HY57V561620为8192 refresh cycles / 64ms。
    SDRAM是多Bank结构,例如在一个具有两个Bank的SDRAM的模组中,其中一个Bank在进行预充电期间,另一个Bank却马上可以被读取,这样当进行一次读取后,又马上去读取已经预充电Bank的数据时,就无需等待而是可以直接读取了,这也就大大提高了存储器的访问速度。
    为了实现这个功能,SDRAM需要增加对多个Bank的管理,实现控制其中的Bank进行预充电。在一个具有2个以上Bank的SDRAM中,一般会多一根叫做BAn的引脚,用来实现在多个Bank之间的选择。


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