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MICRON镁光

MT29F32G08CBADAWP:D_原装进口现货_NAND Flash_【益善半导体】

型号:MT29F32G08CBADAWP:D
  
品牌:MICRON镁光

类型:原装现货         数量:18900

封装:TSOP48            批号:18+ROHS

价格:询查            样品:支持       规格书:联系客服

描述:MLC NAND Flash 3.3V 32G-bit 4G x 8 48-Pin TSOP
 
  • MT29F32G08CBADAWP:D
    类别: 集成电路 (IC)

    家庭: 存储器

    系列: -

    包装: *

    格式 - 存储器: 闪存

    存储器类型: 闪存 - NAND

    存储容量: 32G4G x 8

    速度: -

    接口: 并联

    电压 - 电源: 2.7 V ~ 3.6 V

    工作温度: 0°C ~ 70°C

    封装/外壳: *

    供应商器件封装: *

    MICRON镁光半导体解决方案的全球领先供应商之一。通过全球化的运营,镁光公司制造并向市场推出DRAM、NAND闪存、CMOS图像传感器、其它半导体组件以及存储器模块,用于前沿计算、消费品、网络和移动便携产品。

    Nand-flash存储器是flash存储器的一种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身于大量数听记忆卡、体积小巧的U盘等。

    NAND特点编辑

    容量和成本

    NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,由于生产过程更为简单,NAND结构可 以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就 相应地降低了价格。

    NOR flash占据了容量为1~16MB闪存市场的大部分,而NAND flash只是用在8~128M B的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存 储介质中,NAND适合于数据存储,NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和M MC存储卡市场上所占份额最大。

    物理构成

    NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell,一般来说,一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位,连成bit line,形成所谓的byte(x8)/word(x16),这就是NAND Device的位宽。这些Line会再组成Page,(NAND Flash 有多种结构,我使用的NAND Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M),每页528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Spare Area)),每32个page形成一个Block(32*528B)。具体一片flash上有多少个Block视需要所定。我所使用的三星k9f1208U0M具有4096个block,故总容量为4096*(32*528B)=66MB,但是其中的2MB是用来保存ECC校验码等额外数据的,故实际中可使用的为64MB。

    可靠耐用性

    采用flash介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说 ,Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。

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