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提高全球供货,三星平泽P2新工厂加快投产DRAM

发布日期:2020-05-15 点击次数:235
三星正在加快先进工艺的过渡,位于韩国京畿道平泽P2号工厂正在安装设备,同时建设极紫外光刻(EUV)生产线,计划生产先进的DRAM。
据行业消息称,三星与设备商已签署了设备合同,正在平泽新工厂中安装半导体设备,将用于批量投产第二代(1ynm)和第三代(1znm)10nm级DRAM,预估初期月产能约3万片12吋晶圆。
 
三星2020年第一季度资本支出7.3兆韩元(约60亿美元),其中半导体支出为6.0兆韩元(约49亿美元),同比增长近一倍。三星还在财报中指出,会将重点放在不断增长的服务器DRAM需求上,并通过扩大1Ynm技术迁移来增强成本竞争力,同时推进1znm DRAM的技术发展。但随着电路的物理极限越来越近,改善信号处理速度,降低工作电压和待机电压,提高新技术的DRAM产量,成为三星推进EUV工艺量产的动力。
三星是首家在DRAM 生产中采用EUV的公司,EUV可有效的提高性能、产量,以及缩短开发时间,以克服DRAM技术延伸方面的挑战。2020年3月,三星已经成功出货100万个业界首款基于极紫外光(EUV)技术的10nm级(D1x)DDR4模块,并已经完成了全球客户的评估,满足高端PC、移动、企业级服务器和数据中心应用。
 
根据DRAM技术发展,三星EUV将从第四代 10nm 级(D1a)或高度先进的14nm级DRAM全面部署,预计2021年将开始批量生产基于D1a的DDR5和LPDDR5,届时DRAM生产效率将提高一倍。ASML也表示,2020年第一季度的净预订量强劲,达到31亿欧元,环比增长28.4%,其中包括15亿欧元的EUV系统,EUV的需求持续强劲,部分需求来自DRAM。
 
虽然受 “疫情”影响,全球消费类市场需求低迷,但是数据中心、企业等领域对DRAM和NAND Flash需求不断增加,而且目前部分欧洲国家和地区已开始复工复产,后续消费类市场对存储芯片的需求可望持续增加。
 
因此,三星除了积极推进新工厂投产DRAM,三星2020年3月中国西安二期一阶段工厂产品正式下线上市,主要生产第五代96层3D V-NAND芯片,满足中国市场当地客户需求,以及满足全球不断增长的需求。为了进一步扩大产能,三星也正在建设西安二期第二阶段项目,2021年下半年竣工。
 
此外,铠侠和西部数据新建的位于日本岩手县北上市的K1工厂已于2020年第一季度出货3D NAND,后续产能将持续爬坡。同时,铠侠和西部数据还将于2020年底在四日市工厂内兴建Fab 7工厂,将用于投入生产最新的3D NAND,计划可能在2022年投入生产。
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