常用内存命名规则:
三星(Samsung)内存 具体含义解释: 例:SAMSUNG
K4S283232E-TC60 SDRAM K4H280838B-TCB0 DDR K4T51163QE-HCE6 DDR2 K4B1G164E-HCE7 DDR3 主要含义:
第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4,代表DRAM。9代表NAND FLASH
第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、T代表DDR2、B代表DDR3、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;28、27、2A代表128Mbit的容量;56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数,08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据。 第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率,如60为6ns;70为7ns;7B为7.5ns(CL=3);7C为7.5ns(CL=2);80为8ns;10为10ns(66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义,拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存,使用18片SAMSUNGK4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits,第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽,这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits(兆数位)×16片/8bits=256MB(兆字节)。
注:“bit”为“数位”,“B”即字节“byte”,一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算,文中所举的例子中有两种情况:一种是非ECC内存,每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存;另一种ECC内存,在每64位数据之后,还增加了8位的ECC校验码。通过校验码,可以检测出内存数据中的两位错误,纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中,不计算校验位,具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
Hynix(Hyundai)现代 现代内存的含义:
HY57V281620FTP-H H57V2562GTR-75C(新版) SDRAM HY5DV641622AT-36 H5DU5162ETP-E3C DDR HYXXXXXXXXXXXXXXXX 123456789101112
HY5PS121621BFP-C4 H5PS5162FFR-25C DDR2 HY5TQ1G163ZNFP-G8 H5TQ1G163BFR-12C DDR3 1、HY代表是现代的产品
2、内存芯片类型:(57=SDRAM,5D=DDRSDRAM,5P=DDR2SDRAM, 5T=DDR3SDRAM); 27=NAND FLASH 3、工作电压:空白=5V,V=3.3V,U=2.5V Q=1.8V 4、芯片容量和刷新速率:16=16Mbits、4KRef;64=64Mbits、8KRef;65=64Mbits、4KRef;128=128Mbits、8KRef;129=128Mbits、4KRef;256=256Mbits、16KRef;257=256Mbits、8KRef
5、代表芯片输出的数据位宽:40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、BANK数量:1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank,是2的幂次关系
7、I/O界面:1:SSTL_3、 2:SSTL_2
8、芯片内核版本:可以为空白或A、B、C、D等字母,越往后代表内核越新
9、代表功耗:L=低功耗芯片,空白=普通芯片
10、内存芯片封装形式:JC=400milSOJ,TC=400milTSOP-Ⅱ,TD=13mmTSOP-Ⅱ,TG=16mmTSOP-Ⅱ 11、工作速度:55:183MHZ、5:200MHZ、45:222MHZ、43:233MHZ、4:250MHZ、33:300NHZ、L:DDR200、H:DDR266B、 K:DDR266A 现代的mBGA封装的颗粒
Micron(美光)
以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。 含义:
MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。48代表SDRAM;46代表DDR。 47=DDR2 LC——供电电压。LC代表3V;C代表5V;V代表2.5V。 16M8——内存颗粒容量为128Mbits,计算方法是:16M(地址)×8位数据宽度。 A2——内存内核版本号。
TG——封装方式,TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率,-75即133MHz;-65即150MHz。 实例:一条MicronDDR内存条,采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。 其容量计算为:容量32M×4bit×16片/8=256MB(兆字节)。
Infineon(英飞凌)
Infineon是德国西门子的一个分公司,目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量:容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少,辨别也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/4bits,“128”标识的是该颗粒的容量,后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此,如:HYB39S128800即128MB/8bits;HYB39S128160即128MB/16bits;HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线,然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz; -8——表示该内存的工作频率是100MHz。 例如:
1条Kingston的内存条,采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为:128Mbits(兆数位)×16片/8=256MB(兆字节)。
1条Ramaxel的内存条,采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为:128Mbits(兆数位)×8片/8=128MB(兆字节)。
KINGMAX、kti
KINGMAX内存的说明
Kingmax内存都是采用TinyBGA封装(Tinyballgridarray)。并且该封装模式是专利产品,所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量:64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。 容量备注:
KSVA44T4A0A——64Mbits,16M地址空间×4位数据宽度; KSV884T4A0A——64Mbits,8M地址空间×8位数据宽度; KSV244T4XXX——128Mbits,32M地址空间×4位数据宽度; KSV684T4XXX——128Mbits,16M地址空间×8位数据宽度; KSV864T4XXX——128Mbits,8M地址空间×16位数据宽度。 Kingmax内存的工作速率有四种状态,是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率:
-7A——PC133/CL=2; -7——PC133/CL=3; -8A——PC100/CL=2; -8——PC100/CL=3。
例如一条Kingmax内存条,采用16片KSV884T4A0A-7A的内存颗粒制造,其容量计算为:64Mbits(兆数位)×16片/8=128MB(兆字节)。
Winbond(华邦) 含义说明: WXXXXXXXX 12345
1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
2、代表显存类型:98为SDRAM,94为DDRRAM 3、代表颗粒的版本号:常见的版本号为B和H;
4、代表封装,H为TSOP封装,B为BGA封装,D为LQFP封装
5、工作频率:0:10ns、100MHz;8:8ns、125MHz;Z:7.5ns、133MHz;
TI 产品分类及描述:
该公司半导体产品分类较多,包括:存储器产品组、数字信号处理器(DSP)、电源管理 IC、放大器和线性器件、微控制器、数据转换器、温度传感器和控制 IC、标准线性器件等。就我们日常所接到的询价情况来看,我将先主要介绍数字信号处理器(DSP)、微控制器、电源管理 IC 这三种。
数字信号处理器(DSP):
DSP(digital singnal processor) 芯片,也称数字信号处理器,是一种具有特殊结构的微处理器。DSP 芯片的内部采用程序和数据分开的哈佛结构,具有专门的硬件乘法器,广泛采用流水线操作,提供特殊的 DSP 指令,可以用来快速地实现各种数字信号处理算法。根据数字信号处理的要求,DSP 芯片一般具有如下的一些主要特点:
(1) 在一个指令周期内可完成一次乘法和一次加法。
(2) 程序和数据空间分开,可以同时访问指令和数据。
(3) 片内具有快速 RAM,通常可通过独立的数据总线在两块中同时访问。
(4) 具有低开销或无开销循环及跳转的硬件支持。
(5) 快速的中断处理和硬件 I/O 支持。
(6) 具有在单周期内操作的多个硬件地址产生器。
(7) 可以并行执行多个操作。
(8) 支持流水线操作,使取指、译码和执行等操作可以重叠执行。
与通用微处理器相比,DSP 芯片的其他通用功能相对较弱些。
TI品牌电子芯片命名规则:
SN54LS×××/HC/HCT/或 SNJ54LS/HC/HCT 中的后缀说明:
SN 或 SNJ 表示 TI 品牌
SN 军标,带 N 表示 DIP 封装,带 J 表示 DIP(双列直插),带 D 表示表贴,带 W 表示宽体
SNJ 军级,后面代尾缀 F 或/883表示已检验过的军级.
CD54LS×××/HC/HCT:
◆无后缀表示普军级
◆后缀带 J 或883表示军品级
CD4000/CD45××:
后缀带 BCP 或 BE 属军
后缀带 BF 属普军级
后缀带 BF3A 或883属军品级
TL×××:
后缀 CP 普通级 IP 工业级 后缀带 D 是表贴
后缀带 MJB,MJG 或带/883的为军品级
TLC 表示普通电压 TLV 低功耗电压
TMS320系列归属 DSP 器件, MSP430F 微处理器
BB 产品命名规则:
前缀 ADS 模拟器件 后缀 U 表贴 P 是 DIP 封装 带 B 表示工业级
前缀 INA,XTR,PGA 等表示高精度运放 后缀 U 表贴 P 代表 DIP PA 表示高精度
器件命名规则
SN 74 LVC H 16 2 244 A DGG R 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
标准前缀
示例:SNJ -- 遵从 MIL-PRF-38535 (QML)
温度范围
54 -- 军事
74-- 商业系列特殊功能
空 = 无特殊功能
C -- 可配置 Vcc (LVCC)
D -- 电平转换二极管 (CBTD)
H -- 总线保持 (ALVCH)
K -- 下冲-保护电路 (CBTK)
R -- 输入/输出阻尼电阻 (LVCR)
S -- 肖特基钳位二极管 (CBTS)
Z -- 上电三态 (LVCZ)
位宽
空 = 门、MSI 和八进制
1G -- 单
8 -- 八进制 IEEE 1149.1 (JTAG)
16 -- Widebus?(16 位、18 位和 20 位)
18 -- Widebus IEEE 1149.1 (JTAG)
32 -- Widebus?(32 位和 36 位)选项空 = 无选项
2 -- 输出串联阻尼电阻
4 -- 电平转换器
25 -- 25 欧姆线路驱动器功能
244 -- 非反向缓冲器/驱动器
374 -- D 类正反器
573 -- D 类透明锁扣
640 -- 反向收发器器件修正空 = 无修正
字母指示项 A-Z
封装
D, DW -- 小型集成电路 (SOIC)
DB, DL -- 紧缩小型封装 (SSOP)
DBB, DGV -- 薄型超小外形封装 (TVSOP) DBQ -- 四分之一小型封装 (QSOP)
DBV, DCK -- 小型晶体管封装 (SOT) DGG, PW -- 薄型紧缩小型封装 (TSSOP) FK -- 陶瓷无引线芯片载体 (LCCC)
FN -- 塑料引线芯片载体 (PLCC)
GB -- 陶瓷针型栅阵列 (CPGA)
GKE, GKF -- MicroStar? BGA 低截面球栅阵列封装 (LFBGA) GQL, GQN -- MicroStar Junior BGA 超微细球栅阵列 (VFBGA) HFP, HS, HT, HV -- 陶瓷四方扁平封装 (CQFP)
J, JT -- 陶瓷双列直插式封装 (CDIP)
N, NP, NT -- 塑料双列直插式封装 (PDIP)
NS, PS -- 小型封装 (SOP)
PAG, PAH, PCA, PCB, PM, PN, PZ -- 超薄四方扁平封装 (TQFP) PH, PQ, RC -- 四方扁平封装 (QFP)
W, WA, WD -- 陶瓷扁平封装 (CFP)
卷带封装
DB 和 PW 封装类型中的所有新增器件或更换器件的名称包括为卷带产品指定的 R。目前,指定为 LE 的现有产品继续使用这一指定,但是将来会转换为 R。 命名规则示例:
对于现有器件 -- SN74LVTxxxDBLE
对于新增或更换器件 -- SN74LVTxxxADBR LE -- 左印(仅对于 DB 和 PW 封装有效)
R -- 标准(仅对于除了现有 DB 和 PW 器件之外的所有贴面封装有效)
就载带、盖带或卷带来说,指定了 LE 的器件和指定了 R 的器件在功能上没有差别
AD 常用产品型号命名:
标准单片及混合集成电路产品型号
XX XX XX X X X
1 2 3 4 5
1.前缀:
ADG 一模拟开关或多路器
ADSP 一数字信号处理器 DSP
ADV 一视频产品 VIDEO
ADM 一接口或监控 R 电源产品
ADP 一电源产品
2.器件型号:
3-5 位阿拉伯数字
3.一般说明:
A 第二代产品,
DI 介质隔离,
Z 工作于±12V L-低功耗
4.温度范围/性能(按参数性能提高排列):
0℃至 70℃:I、J、K、L、M 特性依次递增,M性能最忧
-25℃或-40℃至 85℃:A、B、C 特性依次递增,C 性能最忧。
-55℃至 125℃ :S、T、U 特性依次递增,U 性能最忧。
5.封装形式:
B-款形格栅阵列 BGA(塑封) RJ-J 引脚小尺寸
BC-芯片级球形格栅阵列 RM-µSOIC(微型 SOIC)BP-温度增强型球形格栅阵列 RN-小尺寸(0.15 英寸,厚 2mm) C-晶片/DIE RP-小尺寸(PSOP)
D-边或底铜焊陶瓷 CDIP RQ-SOIC(宽 0.025 英寸,厚 2mm)E-陶瓷无引线芯片载体 LLCC RS-紧缩型小尺寸(SSOP)F-陶瓷扁平到装 FP(l 或 2 边) RT-SOT-23 或 SOI-143 G-多层陶瓷 PGA RU-细小型 TSSOP H-圆金属壳封装 RW-小尺寸(宽 0.025 英寸,厚 2MM)
J-J 引脚陶瓷芯片载体 S-公制塑料四方扁平封装(MQFP)M-金属矩形封装 DIP SP-MPQFP N-塑料/环氧树脂 DIP SQ-薄 QFP-highPOwer(厚 1.4MM)ND-塑料 PDIP ST-薄 QFP(LQFP)(厚 1.4MM)
P-塑料带引线芯片载体 SU-极薄 QFP(LQFP)(厚 1.4MM)PP-塑料带引线芯片载体 T-To92 晶体管封装
Q-陶瓷 CDIP V-表面安装带至脚 MOLY TAB QC-CERPACK VR-表面安装带至脚 MOLY TAB R-小外行封装(宽或窄 SOIC) Y-单列直插封装 SIP RB-带散热片 SOIC YS-带引脚 SIP
高精度单块器件
XXX
XXXX
BI
E
X /883
1
2
3
4
5
6
1.器件分类:
ADC A/D 转换器
AMP 设备放大器
BUF 缓冲器
CMP 比较器
DAC D/A 转换器
JAN Mil-M-38510
LIU 串行数据列接口单元
MAT 配对晶体管
MUX 多路调制器
OP 运算放大器
PKD 峰值监测器
PM PMI 二次电源产品
REF 电压比较器
RPT PCM
SMP 取样/保持放大器
SW 模拟开关
SSM 声频产品
TMP 温度传感器
2.器件型号
3.老化选择:AD 大部分温度范围在 0℃~+70℃、~25℃~+85℃、
-40 ℃~+85℃的产品经过老化,有 BI 标记的表示经老化测试。
4.电气等级
5.封装形式:
H 6 腿 TO-78
J 8 腿 TO-99
K 10 腿 TO-100
P 环氧树脂 B 双列直插
PC 塑料有引线芯片载体
Q 16 腿陶瓷双列直插
R 20 腿陶瓷双列直插
RC 20 引出端无引线芯片载体
S 微型封装
T 28 腿陶瓷双列直插
TC 20 引出端无引线芯片载体
V 20 腿陶瓷双列直插
X 18 腿陶瓷双列直插
Y 14 腿陶瓷双列直插
Z 8 腿陶瓷双列直插
6.军品工艺:带 MIL-STD-833 温度范围为-55℃~+125℃,军品标志,分
A、B、C 三档,未注明为 A 档,B 档为标准产品。
ADI 专用命名规则
AD 公司标准单片及混合集成电路产品型号型号编码:AD XXXX A Y Z
AD 公司产品前缀 AD 为标准编码;其它如:
ADG 一模拟开关或多路器
ADSP 一数字信号处理器 DSP
命名描述: ADV 一视频产品 VIDEO
ADM 一接口或监控 R 电源产品
ADP 一电源产品
不尽详述,但标准产品一般以 AD 开头
命名范例: AD644ASH/883B
命名规则: 1
2
3
4
5
6
AD 644 A S H /883B
规则 1: “AD” 代表 “ADI 前缀”
AD -- 模拟器件
HA -- 混合 A/D
HD -- 混合 D/A
规则 2: “644” 代表 “器件编号”
644 -- 器件编号
XXX -- 器件编号
XX -- 器件编号规则 3: “A” 代表 “附加说明”
A -- 第二代产品
DI -- 介质隔离产品
Z -- 工作在+12V 的产品
E -- ECL
空 -- 无规则 4: “S” 代表 “温度范围”
I -- (0-70)℃
J -- (0-70)℃
K -- (0-70)℃
L -- (0-70)℃
M -- (0-70)℃
A -- (-25-85)℃
B -- (-25-85)℃
C -- (-25-85)℃
S -- (-55-125)℃
T -- (-55-125)℃
U -- (-55-125)℃
空 -- 无规则 5: “H” 代表 “封装形式”
D -- 陶瓷或金气密双列封装(多层陶瓷)
E -- 芯片载体
F -- 陶瓷扁平
G -- PGA 封装(针栅阵列)
H -- 金属圆壳气密封装
M -- 金属壳双列密封计算机部件
N -- 塑料双列直插
Q -- 陶瓷浸渍双列(黑陶瓷)
CHIPS -- 单片的芯片空 -- 无
规则 6: “/883B” 代表 “筛选水平”
/883B -- MIL-STD-883B 级
空 -- 无
MAXIM 专有产品型号命名:
MAX XXX (X) X X X
1 2 3 4 5 6
1.前缀: MAXIM公司产品代号
2.产品字母后缀:
三字母后缀:C=温度范围; P=封装类型; E=管脚数
四字母后缀:B=指标等级或附带功能; C=温度范围; P=封装类型; I=管脚数
3.指标等级或附带功能:A表示5%的输出精度,E表示防静电
4 .温度范围: C= 0℃ 至 70℃(商业级)
I =-20℃ 至 +85℃(工业级)
E =-40℃ 至 +85℃(扩展工业级)
A = -40℃至+85℃(航空级)
M =-55℃ 至 +125℃(军品级)
5.封装形式: A SSOP(缩小外型封装) Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装)
B CERQUAD R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil)
C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) S 小外型封装
D 陶瓷铜顶封装 T TO5,TO-99,TO-100
E 四分之一大的小外型封装 U TSSOP,μMAX,SOT
F 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGA W 宽体小外型封装(300mil)
J CERDIP (陶瓷双列直插) X SC-70(3脚,5脚,6脚)
K TO-3 塑料接脚栅格阵列 Y 窄体铜顶封装
L LCC (无引线芯片承载封装) Z TO-92MQUAD
M MQFP (公制四方扁平封装) / D裸片
N 窄体塑封双列直插 / PR 增强型塑封
P 塑封双列直插 / W 晶圆
6.管脚数量:
A:8 J:32 K:5,68 S:4,80
B:10,64 L:40 T:6,160
C:12,192 M:7,48 U:60
D:14 N:18 V:8(圆形)
E:16 O:42 W:10(圆形)
F:22,256 P:20 X:36
G:24 Q:2,100 Y:8(圆形)
H:44 R:3,84 Z:10(圆形)
I:28
ALTERA 产品型号命名
XXX XXX X X XX X
1 2 3 4 5 6
1.前缀: EP 典型器件
EPC 组成的EPROM器件
EPF FLEX 10K或FLFX 6000系列、FLFX 8000系列
EPM MAX5000系列、MAX7000系列、MAX9000系列
EPX 快闪逻辑器件
2.器件型号
3.封装形式:
D 陶瓷双列直插 Q 塑料四面引线扁平封装
P 塑料双列直插 R 功率四面引线扁平封装
S 塑料微型封装 T 薄型J形引线芯片载体
J 陶瓷J形引线芯片载体 W 陶瓷四面引线扁平封装
L 塑料J形引线芯片载体 B 球阵列
4.温度范围: C ℃至70℃,I -40℃至85℃,M -55℃至125℃
5.腿数
6.速度
ATMEL 产品型号命名
AT XX X XX XX X X X
1 2 3 4 5 6
1.前缀:ATMEL公司产品代号
2.器件型号
3.速度
4.封装形式:
A TQFP封装 P 塑料双列直插
B 陶瓷钎焊双列直插 Q 塑料四面引线扁平封装
C 陶瓷熔封 R 微型封装集成电路
D 陶瓷双列直插 S 微型封装集成电路
F 扁平封装 T 薄型微型封装集成电路
G 陶瓷双列直插,一次可编程 U 针阵列
J 塑料J形引线芯片载体 V 自动焊接封装
K 陶瓷J形引线芯片载体 W 芯片
L 无引线芯片载体 Y 陶瓷熔封
M 陶瓷模块 Z 陶瓷多芯片模块
N 无引线芯片载体,一次可编程
5.温度范围: C 0℃至70℃, I -40℃至85℃, M -55℃至125℃
6.工艺: 空白 标准
/883 Mil-Std-883, 完全符合B级
B Mil-Std-883,不符合B级
HITACHI 常用产品型号命名
XX XXXXX X X
1 2 3 4
1.前缀:
HA 模拟电路 HB 存储器模块
HD 数字电路 HL 光电器件(激光二极管/LED)
HM 存储器(RAM) HR光电器件(光纤)
HN 存储器(NVM) PF RF功率放大器
HG 专用集成电路
2.器件型号
3.改进类型
4.封装形式:
P 塑料双列 PG 针阵列
C 陶瓷双列直插 S 缩小的塑料双列直插
CP 塑料有引线芯片载体 CG 玻璃密封的陶瓷无引线芯片载体
FP 塑料扁平封装 G 陶瓷熔封双列直插
SO 微型封装
INTERSIL 产品型号命名
XXX XXXX X X X X
1 2 3 4 5 6
1.前缀: D 混合驱动器 G 混合多路FET
ICL 线性电路 ICM 钟表电路
IH 混合/模拟门 IM 存储器
AD 模拟器件 DG 模拟开关
DGM 单片模拟开关 ICH 混合电路
MM 高压开关 NE/SE SIC产品
2.器件型号
3.电性能选择
4.温度范围: A -55℃至125℃, B -20℃至85℃, C 0℃至70℃
I -40℃至125℃, M -55℃至125℃
5.封装形式:
A TO-237型 L 无引线陶瓷芯片载体
B 微型塑料扁平封装 P 塑料双列直插
C TO-220型 S TO-52型
D 陶瓷双列直插 T TO-5、TO-78、TO-99、TO-100型
E TO-8微型封装 U TO-72、TO-18、TO-71型
F 陶瓷扁平封装 V TO-39型
H TO- 66型 Z TO-92型
I 16脚密封双列直插 /W 大圆片
J 陶瓷双列直插 /D 芯片
K T O-3型 Q 2引线金属管帽
6.管脚数:
A 8, B 10, C 12, D 14, E 16, F 22, G 24,
H 42, I 28, J 32, K 35, L 40, M 48, N 18,
P 20, Q 2, R 3, S 4, T 6, U 7,
V 8(引线间距0.2"",绝缘外壳) W 10(引线间距0.23"",绝缘外壳)
Y 8(引线间距0.2"",4脚接外壳) Z 10(引线间距0.23"",5脚接外壳)
NEC 常用产品型号命名
μP X XXXX X
1 2 3 4
1.前缀
2.产品类型:A 混合元件 B 双极数字电路,
C 双极模拟电路 D 单极型数字电路
3.器件型号:
4.封装形式:
A 金属壳类似TO-5型封装 J 塑封类似TO-92型
B 陶瓷扁平封装 M 芯片载体
C 塑封双列 V 立式的双列直插封装
D 陶瓷双列 L 塑料芯片载体
G 塑封扁平 K 陶瓷芯片载体
H 塑封单列直插 E 陶瓷背的双列直插